Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода
Улучшение основных характеристик варикапа достигается с помощью изменения профиля легирующей примеси на металлургической границе p — n перехода.
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70826 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода / А.Н. Головяшкин, В.А. Соловьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 28-30. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Улучшение основных характеристик варикапа достигается с помощью изменения профиля легирующей примеси на металлургической границе p — n перехода. |
|---|