Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода
Улучшение основных характеристик варикапа достигается с помощью изменения профиля легирующей примеси на металлургической границе p — n перехода.
Збережено в:
Дата: | 2001 |
---|---|
Автори: | Головяшкин, А.Н., Соловьев, В.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70826 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода / А.Н. Головяшкин, В.А. Соловьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 28-30. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999) -
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2001) -
Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (1999) -
Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2000) -
Влияние радиационного облучения на характеристики солнечных элементов из поликристаллического кремния
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)