Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники

• Datum: 2001
• Hauptverfasser: Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Щербань, А.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Schriftenreihe: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Schlagworte: Материалы для микроэлектроники
• Online Zugang: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70853
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в гал...