2025-02-23T04:38:59-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70853%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:38:59-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70853%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:38:59-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T04:38:59-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники

Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в гал...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Щербань, А.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Материалы для микроэлектроники
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70853
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в галлии, цинке, кадмии и теллуре после рафинирования может быть снижено соответственно до уровня 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴.

Similar Items