Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в гал...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70853 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70853 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708532014-11-16T03:01:48Z Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. Материалы для микроэлектроники Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в галлии, цинке, кадмии и теллуре после рафинирования может быть снижено соответственно до уровня 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴. The results of studies of deep refinement of gallium, zinc, cadmium and tellurium by distillation methods have been explained, including removing volatile impurities, distillation and filtering of base metal by the use of simple systems. It has been shown that the total content of the basic impurity elements in gallium, zinc, cadmium and tellurium after refinement can be reduced accordingly to a level 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴. 2001 Article Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70853 669.054 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники |
| spellingShingle |
Материалы для микроэлектроники Материалы для микроэлектроники Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в галлии, цинке, кадмии и теллуре после рафинирования может быть снижено соответственно до уровня 1·10⁻⁴, <2,5·10⁻⁴, 1,4·10⁻⁴, <4,2·10⁻⁴. |
| format |
Article |
| author |
Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. |
| author_facet |
Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. |
| author_sort |
Ковтун, Г.П. |
| title |
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| title_short |
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| title_full |
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| title_fullStr |
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| title_full_unstemmed |
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| title_sort |
получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70853 |
| citation_txt |
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kovtungp polučenievysokočistyhgalliâcinkakadmiâitelluradlâmikroélektroniki AT kravčenkoai polučenievysokočistyhgalliâcinkakadmiâitelluradlâmikroélektroniki AT ŝerbanʹap polučenievysokočistyhgalliâcinkakadmiâitelluradlâmikroélektroniki |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:26Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:26Z |
| _version_ |
1796145707059511296 |