Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в гал...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70853 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |