Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников

С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного з...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2001
Автори: Косяченко, Л.А., Раренко, И.М., Марков, А.В., Остапов, С.Э.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70855
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности электрических характеристик n⁺–p-перехода на основе узкозонных полупроводников / Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, А.В. Марков, С.Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного заряда в переходе по координате, что приводит к отклонению зависимости потенциала от квадратичной, а напряженности электрического поля — от линейной. Результаты могут быть использованы, в частности, для детектирования инфракрасного излучения в спектральной области 8—14 мкм.