Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного з...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70855 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности электрических характеристик n⁺–p-перехода на основе узкозонных полупроводников / Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, А.В. Марков, С.Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70855 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708552014-11-16T03:02:02Z Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников Косяченко, Л.А. Раренко, И.М. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Функциональная микроэлектроника С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного заряда в переходе по координате, что приводит к отклонению зависимости потенциала от квадратичной, а напряженности электрического поля — от линейной. Результаты могут быть использованы, в частности, для детектирования инфракрасного излучения в спектральной области 8—14 мкм. The Poisson equation for n⁺–p-junction has been solved by numerical methods, the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that at band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge in junction on co-ordinate is essential that this leads to bias relationship of potential from quadratic one and field strength from linear one. The results can be used, in particular, for detection of infrared radiation in 8— 14 mm spectrum field. 2001 Article Особенности электрических характеристик n⁺–p-перехода на основе узкозонных полупроводников / Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, А.В. Марков, С.Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70855 546.711.49 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микроэлектроника Функциональная микроэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микроэлектроника Функциональная микроэлектроника Косяченко, Л.А. Раренко, И.М. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного заряда в переходе по координате, что приводит к отклонению зависимости потенциала от квадратичной, а напряженности электрического поля — от линейной. Результаты могут быть использованы, в частности, для детектирования инфракрасного излучения в спектральной области 8—14 мкм. |
| format |
Article |
| author |
Косяченко, Л.А. Раренко, И.М. Марков, А.В. Остапов, С.Э. |
| author_facet |
Косяченко, Л.А. Раренко, И.М. Марков, А.В. Остапов, С.Э. |
| author_sort |
Косяченко, Л.А. |
| title |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| title_short |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| title_full |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| title_fullStr |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| title_full_unstemmed |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| title_sort |
особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Функциональная микроэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70855 |
| citation_txt |
Особенности электрических характеристик n⁺–p-перехода на основе узкозонных полупроводников / Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, А.В. Марков, С.Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kosâčenkola osobennostiélektričeskihharakteristiknpperehodanaosnoveuzkozonnyhpoluprovodnikov AT rarenkoim osobennostiélektričeskihharakteristiknpperehodanaosnoveuzkozonnyhpoluprovodnikov AT markovav osobennostiélektričeskihharakteristiknpperehodanaosnoveuzkozonnyhpoluprovodnikov AT ostapovsé osobennostiélektričeskihharakteristiknpperehodanaosnoveuzkozonnyhpoluprovodnikov |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:26Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:26Z |
| _version_ |
1796145707273420800 |