Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного з...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70855 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности электрических характеристик n⁺–p-перехода на основе узкозонных полупроводников / Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, А.В. Марков, С.Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |