Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки....
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70875 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70875 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708752014-11-16T03:01:54Z Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки Светличный, А.М. Агеев, О.А. Шляховой, Д.А. Технология производства Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки. 2001 Article Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70875 539.216.2.002—546.28 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Технология производства Технология производства |
| spellingShingle |
Технология производства Технология производства Светличный, А.М. Агеев, О.А. Шляховой, Д.А. Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки. |
| format |
Article |
| author |
Светличный, А.М. Агеев, О.А. Шляховой, Д.А. |
| author_facet |
Светличный, А.М. Агеев, О.А. Шляховой, Д.А. |
| author_sort |
Светличный, А.М. |
| title |
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки |
| title_short |
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки |
| title_full |
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки |
| title_fullStr |
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки |
| title_full_unstemmed |
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки |
| title_sort |
особенности получения тонких пленок sio₂ методом быстрой термической обработки |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Технология производства |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70875 |
| citation_txt |
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT svetličnyjam osobennostipolučeniâtonkihplenoksio2metodombystrojtermičeskojobrabotki AT ageevoa osobennostipolučeniâtonkihplenoksio2metodombystrojtermičeskojobrabotki AT šlâhovojda osobennostipolučeniâtonkihplenoksio2metodombystrojtermičeskojobrabotki |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:29Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:29Z |
| _version_ |
1796145709408321536 |