Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные ха...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70884 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |