Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо

Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо

Рассмотрены вопросы формирования и свойства резистивных элементов, полученных имплантацией пленок пористого анодного оксида алюминия аморфной и кристаллической γ-Al₂O₃ модификации ионами титана и молибдена. Оказалось, что на поверхности таких пленок могут быть сформированы резистивные слои, сопротив...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2000
Автори: Литвинович, Г.В., Сокол, В.А., Углов, В.В., Занг, И.З., Абрамов, И.И., Данилюк, А.Л.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Технология производства
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70909
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо / Г.В. Литвинович, В.А. Сокол, В.В. Углов, И.З. Занг, И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70909
record_format dspace
spelling irk-123456789-709092014-11-17T03:01:35Z Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо Литвинович, Г.В. Сокол, В.А. Углов, В.В. Занг, И.З. Абрамов, И.И. Данилюк, А.Л. Технология производства Рассмотрены вопросы формирования и свойства резистивных элементов, полученных имплантацией пленок пористого анодного оксида алюминия аморфной и кристаллической γ-Al₂O₃ модификации ионами титана и молибдена. Оказалось, что на поверхности таких пленок могут быть сформированы резистивные слои, сопротивление которых изменяется в широких пределах — от десятков ом до десятков мегаом. Полученные результаты могут найти широкое применение на практике, например, при построении различных радиоэлектронных устройств на пленках анодного оксида алюминия. Formation questions and properties of resistive elements produced by films implantation of pore anode alumina of amorphous and crystal modification γ-Al₂O₃ by ions of titanium and molybdenum have been considered. It turned out that on surface of such films can be formed resistive layers, the resistance of which is changed in wide ranges - from ten Ohms to tens MegaOhms. The obtained results can find wide application on practice, for example, at constructing of different radioelectronic devices on films of anode alumina. 2000 Article Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо / Г.В. Литвинович, В.А. Сокол, В.В. Углов, И.З. Занг, И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70909 621.382:621.315.5/61 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Технология производства
Технология производства
spellingShingle Технология производства
Технология производства
Литвинович, Г.В.
Сокол, В.А.
Углов, В.В.
Занг, И.З.
Абрамов, И.И.
Данилюк, А.Л.
Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Рассмотрены вопросы формирования и свойства резистивных элементов, полученных имплантацией пленок пористого анодного оксида алюминия аморфной и кристаллической γ-Al₂O₃ модификации ионами титана и молибдена. Оказалось, что на поверхности таких пленок могут быть сформированы резистивные слои, сопротивление которых изменяется в широких пределах — от десятков ом до десятков мегаом. Полученные результаты могут найти широкое применение на практике, например, при построении различных радиоэлектронных устройств на пленках анодного оксида алюминия.
format Article
author Литвинович, Г.В.
Сокол, В.А.
Углов, В.В.
Занг, И.З.
Абрамов, И.И.
Данилюк, А.Л.
author_facet Литвинович, Г.В.
Сокол, В.А.
Углов, В.В.
Занг, И.З.
Абрамов, И.И.
Данилюк, А.Л.
author_sort Литвинович, Г.В.
title Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
title_short Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
title_full Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
title_fullStr Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
title_full_unstemmed Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
title_sort резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов ti и мо
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2000
topic_facet Технология производства
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70909
citation_txt Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо / Г.В. Литвинович, В.А. Сокол, В.В. Углов, И.З. Занг, И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT litvinovičgv rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantaciejionovtiimo
AT sokolva rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantaciejionovtiimo
AT uglovvv rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantaciejionovtiimo
AT zangiz rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantaciejionovtiimo
AT abramovii rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantaciejionovtiimo
AT danilûkal rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantaciejionovtiimo
first_indexed 2023-10-18T18:59:33Z
last_indexed 2023-10-18T18:59:33Z
_version_ 1796145712524689408

Схожі ресурси