Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2000
• Автори: Литвинович, Г.В., Сокол, В.А., Углов, В.В., Занг, И.З., Абрамов, И.И., Данилюк, А.Л.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Технология производства
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70909
• Цитувати: Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо / Г.В. Литвинович, В.А. Сокол, В.В. Углов, И.З. Занг, И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Рассмотрены вопросы формирования и свойства резистивных элементов, полученных имплантацией пленок пористого анодного оксида алюминия аморфной и кристаллической γ-Al₂O₃ модификации ионами титана и молибдена. Оказалось, что на поверхности таких пленок могут быть сформированы резистивные слои, сопротив...