Физические имитаторы мощных транзисторов
Рассмотрены возможности использования физических моделей (имитаторов) транзисторов высоких мощностей в процессе создания новых радиоэлектронных приборов вместо реальных (чаще всего дорогостоящих) транзисторов. Приведены принципиальные схемы сигнализации перенапряжения и токовой перегрузки....
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70922 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Физические имитаторы мощных транзисторов / З. Стевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 15-16. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |