Физические имитаторы мощных транзисторов

Рассмотрены возможности использования физических моделей (имитаторов) транзисторов высоких мощностей в процессе создания новых радиоэлектронных приборов вместо реальных (чаще всего дорогостоящих) транзисторов. Приведены принципиальные схемы сигнализации перенапряжения и токовой перегрузки....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2000
Автор: Стевич, З.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70922
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Физические имитаторы мощных транзисторов / З. Стевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 15-16. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70922
record_format dspace
spelling irk-123456789-709222014-11-17T03:01:41Z Физические имитаторы мощных транзисторов Стевич, З. Электронная аппаратура: исследования, разработки Рассмотрены возможности использования физических моделей (имитаторов) транзисторов высоких мощностей в процессе создания новых радиоэлектронных приборов вместо реальных (чаще всего дорогостоящих) транзисторов. Приведены принципиальные схемы сигнализации перенапряжения и токовой перегрузки. Possibilities of using physical models (simulators) of transistors of high power during creation process of new radioelectronical devices instead of real (mostly expensive) transistors have been considered. The circuit diagrams of overvoltage and current overload allarming have been given. 2000 Article Физические имитаторы мощных транзисторов / З. Стевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 15-16. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70922 621.382.36621.372 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электронная аппаратура: исследования, разработки
Электронная аппаратура: исследования, разработки
spellingShingle Электронная аппаратура: исследования, разработки
Электронная аппаратура: исследования, разработки
Стевич, З.
Физические имитаторы мощных транзисторов
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Рассмотрены возможности использования физических моделей (имитаторов) транзисторов высоких мощностей в процессе создания новых радиоэлектронных приборов вместо реальных (чаще всего дорогостоящих) транзисторов. Приведены принципиальные схемы сигнализации перенапряжения и токовой перегрузки.
format Article
author Стевич, З.
author_facet Стевич, З.
author_sort Стевич, З.
title Физические имитаторы мощных транзисторов
title_short Физические имитаторы мощных транзисторов
title_full Физические имитаторы мощных транзисторов
title_fullStr Физические имитаторы мощных транзисторов
title_full_unstemmed Физические имитаторы мощных транзисторов
title_sort физические имитаторы мощных транзисторов
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2000
topic_facet Электронная аппаратура: исследования, разработки
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70922
citation_txt Физические имитаторы мощных транзисторов / З. Стевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 15-16. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT stevičz fizičeskieimitatorymoŝnyhtranzistorov
first_indexed 2023-10-18T18:59:35Z
last_indexed 2023-10-18T18:59:35Z
_version_ 1796145713902518272