Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов....
Збережено в:
Дата: | 2000 |
---|---|
Автори: | Иващук, А.В., Кохан В.П. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70944 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Устройство управления импульсным режимом электролиза при создании контактных площадок
за авторством: Альбота, Л.А., та інші
Опубліковано: (2003) -
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
за авторством: Иващук, А.В.
Опубліковано: (2000) -
Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне
за авторством: Амбросов, С.В.
Опубліковано: (2003) -
Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC
за авторством: Агеев, О.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Технология изготовления лазерных красителей для диапазона 472-600 нм
за авторством: Кругленко, В.П., та інші
Опубліковано: (2002)