Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формиро...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70962 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формирования омических контактов с учетом массы образца к n-GaAs для полевых транзисторов с барьером Шоттки. |
|---|