Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия

Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия

Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формиро...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2000
Автор: Иващук, А.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Технология производства
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70962
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70962
record_format dspace
spelling irk-123456789-709622014-11-19T03:01:47Z Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия Иващук, А.В. Технология производства Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формирования омических контактов с учетом массы образца к n-GaAs для полевых транзисторов с барьером Шоттки. The device for semiconductor wafers thermal treatment that provides the fast heating and cooling of samples and creates the necessary conditions for uniform recrystallization and morphology imrovement of ohmic contacts during alloying of metallization has been described. The thermal modes of ohmic contacts formation to n-GaAs for field effect transistors with Schottky barrir have been optimized with account of sample mass. 2000 Article Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70962 621.382.002 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Технология производства
Технология производства
spellingShingle Технология производства
Технология производства
Иващук, А.В.
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Описано устройство для термоообработки полупроводниковых пластин, обеспечивающее быстрый нагрев и охлаждение образцов и создающее необходимые условия для равномерной рекристаллизации и улучшения морфологии омических контактов в процессе вплавления металлизации. Оптимизированы тепловые режимы формирования омических контактов с учетом массы образца к n-GaAs для полевых транзисторов с барьером Шоттки.
format Article
author Иващук, А.В.
author_facet Иващук, А.В.
author_sort Иващук, А.В.
title Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
title_short Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
title_full Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
title_fullStr Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
title_full_unstemmed Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
title_sort тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2000
topic_facet Технология производства
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70962
citation_txt Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT ivaŝukav teplovyerežimyformirovaniâomičeskihkontaktovkarsenidugalliâ
first_indexed 2023-10-18T18:59:40Z
last_indexed 2023-10-18T18:59:40Z
_version_ 1796145718139813888

Схожі ресурси