2025-02-23T06:06:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70966%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:06:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-70966%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T06:06:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T06:06:02-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников

Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников

Обсуждается проблема деградации радиационно-индуцированного оптического поглощения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Рассмотрены варианты математического моделирования возможных релаксационных превращений. На примере стекол квазибинарной системы (Sb₂S₃)y(GeS₂)1–y при широкой вариации...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Вакив, Н.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Материалы электроники
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70966
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Обсуждается проблема деградации радиационно-индуцированного оптического поглощения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Рассмотрены варианты математического моделирования возможных релаксационных превращений. На примере стекол квазибинарной системы (Sb₂S₃)y(GeS₂)1–y при широкой вариации их химического состава показано, что адекватная математическая модель для количественного описания деградации может быть развита на основе бимолекулярной релаксационной функции, описывающей процессы аннигиляции характерных для данных аморфных материалов координационных дефектов.

Similar Items