Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников
Обсуждается проблема деградации радиационно-индуцированного оптического поглощения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Рассмотрены варианты математического моделирования возможных релаксационных превращений. На примере стекол квазибинарной системы (Sb₂S₃)y(GeS₂)1–y при широкой вариации...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70966 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников / Н.М. Вакив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 52-57. — Бібліогр.: 56 назв. — рос. |