2025-02-22T09:57:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-74482%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T09:57:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-74482%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T09:57:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T09:57:45-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
У гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з ланцюгами квантових точок досліджено властивості латерального фотоструму, викликаного оптичним перезарядженням центрів електронної локалізації. В кінетиці фотоструму структур виявлено довготривалу динаміку наростання та релаксації, а також ефект залишкової пров...
Saved in:
Main Authors: | , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Ukrainian |
Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
Series: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74482 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|