2025-02-22T21:09:21-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-74482%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T21:09:21-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-74482%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T21:09:21-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T21:09:21-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
У гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з ланцюгами квантових точок досліджено властивості латерального фотоструму, викликаного оптичним перезарядженням центрів електронної локалізації. В кінетиці фотоструму структур виявлено довготривалу динаміку наростання та релаксації, а також ефект залишкової пров...
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2011
|
| Series: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74482 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | У гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з ланцюгами квантових точок досліджено властивості латерального фотоструму, викликаного оптичним перезарядженням центрів електронної локалізації. В кінетиці фотоструму структур виявлено довготривалу динаміку наростання та релаксації, а також ефект залишкової провідности після вимкнення збуджувального випромінення. Встановлено присутність глибоких центрів прилипання для електронів, які значною мірою впливають на транспорт носіїв заряду та на процеси рекомбінації. Температурними дослідженнями виявлено ефект термостимульованої провідности в гетероструктурі. За формою кривої термостимульованого струму одержано значення глибини залягання рівня прилипання відносно зони провідности – 0,17 еВ. |
|---|