2025-02-22T17:17:50-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-74482%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T17:17:50-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-74482%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T17:17:50-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T17:17:50-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками

У гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з ланцюгами квантових точок досліджено властивості латерального фотоструму, викликаного оптичним перезарядженням центрів електронної локалізації. В кінетиці фотоструму структур виявлено довготривалу динаміку наростання та релаксації, а також ефект залишкової пров...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Вакуленко, О.В., Головинський, С.Л., Кондратенко, С.В.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
Series:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74482
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-22T17:17:50-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-74482%22&qt=morelikethis
2025-02-22T17:17:50-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-74482%22&qt=morelikethis
2025-02-22T17:17:50-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T17:17:50-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response