2025-02-23T04:42:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-75192%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:42:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-75192%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:42:45-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T04:42:45-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si

Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si

Разработан и исследован метод формирования перфорированных плёнок АОА с регулярной ячеисто-пористой структурой и удалённым барьерным оксидным слоем при анодной поляризации системы Al/n-Si. Отработаны технологические режимы селективного роста полупроводниковых соединений InGaN в порах модифицированны...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Горох, Г.Г., Соловей, Д.В., Лабунов, В.А., Осинский, В.И., Мазунов, Д.О.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
Series:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75192
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75192

Similar Items