Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si

• Дата: 2011
• Автори: Горох, Г.Г., Соловей, Д.В., Лабунов, В.А., Осинский, В.И., Мазунов, Д.О.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
• Назва видання: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75192
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si / Г.Г. Горох, Д.В. Соловей, В.А. Лабунов, В.И. Осинский, Д.О. Мазунов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 4. — С. 913-923. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Разработан и исследован метод формирования перфорированных плёнок АОА с регулярной ячеисто-пористой структурой и удалённым барьерным оксидным слоем при анодной поляризации системы Al/n-Si. Отработаны технологические режимы селективного роста полупроводниковых соединений InGaN в порах модифицированных матриц АОА методом гидридной газофазной эпитаксии. Полученные самоорганизованные наноструктуры InGaN в порах анодного оксида алюминия характеризуются кристаллографической неполярной α-ориентацией. Выполнены исследования катодолюминесценции полученных структур и проанализированы их спектральные характеристики.