Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double h...
Збережено в:
| Видавець: | Західний науковий центр НАН України і МОН України |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Західний науковий центр НАН України і МОН України
2011
|
| Назва видання: | Праці наукового товариства ім. Шевченка |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75284 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. |