Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках

Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках

Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double h...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Західний науковий центр НАН України і МОН України
Дата:2011
Автор: Крамар, В.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Західний науковий центр НАН України і МОН України 2011
Назва видання:Праці наукового товариства ім. Шевченка
Теми:
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75284
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-75284
record_format dspace
spelling irk-123456789-752842015-02-03T19:44:37Z Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках Крамар, В. Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників" Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double hetero junction GaAs/AlxGa1-xAs were performed as an example. It is found that the exciton binding energy practically does not depend on the temperature T in the studied nanosystems having a weak electron phonon coupling Energy of the ground state exciton transition de creases with an increase of T according to nonlinear law due to the carrier energy transformations by electron phonon interaction. The scale of the exciton energy warm up changes in a nanofilm depends on its thickness a and has the greatest value in case a =<10 nm. 2011 Article Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр. 1563-3569 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75284 uk Праці наукового товариства ім. Шевченка Західний науковий центр НАН України і МОН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
spellingShingle Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
Крамар, В.
Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
Праці наукового товариства ім. Шевченка
description Warm up dependency of the ground state exciton energy in a at semiconductor based nanofilm was studied by Green s function method. The binding energy of exciton and its dependency on the temperature has been evaluated using the Bethe method Numeric calculations for at nanofilms based on the double hetero junction GaAs/AlxGa1-xAs were performed as an example. It is found that the exciton binding energy practically does not depend on the temperature T in the studied nanosystems having a weak electron phonon coupling Energy of the ground state exciton transition de creases with an increase of T according to nonlinear law due to the carrier energy transformations by electron phonon interaction. The scale of the exciton energy warm up changes in a nanofilm depends on its thickness a and has the greatest value in case a =<10 nm.
format Article
author Крамар, В.
author_facet Крамар, В.
author_sort Крамар, В.
title Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
title_short Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
title_full Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
title_fullStr Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
title_full_unstemmed Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
title_sort температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках
publisher Західний науковий центр НАН України і МОН України
publishDate 2011
topic_facet Міжнародна школа-конференція "Актуальні проблеми фізики напівпровідників"
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75284
citation_txt Температурні зміни енергії екситонного переходу в плоских напівпровідникових наноплівках / В. Крамар // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 335-345. — Бібліогр.: 29 назв. — укр.
series Праці наукового товариства ім. Шевченка
work_keys_str_mv AT kramarv temperaturnízmínienergííeksitonnogoperehoduvploskihnapívprovídnikovihnanoplívkah
first_indexed 2023-10-18T19:09:09Z
last_indexed 2023-10-18T19:09:09Z
_version_ 1796146144011616256

Схожі ресурси