Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes

• Дата: 2008
• Автори: Franiv, A.V., Bovgyra, O.V., Franiv, O.V., Goyer, D.B.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Назва видання: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76016
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes / A.V. Franiv, O.V. Bovgyra, O.V. Franiv, D.B. Goyer // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

The relaxation dynamics of the exciton resonances in the layer InxTl1−xI semiconductor for its transition from bulk crystals to the quantum-size nanocrystals synthesised within the different matrices is analysed. The mordenitetype (Na-MOR)Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O zeolite, beryl and porous silicon...