Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes

The relaxation dynamics of the exciton resonances in the layer InxTl1−xI semiconductor for its transition from bulk crystals to the quantum-size nanocrystals synthesised within the different matrices is analysed. The mordenitetype (Na-MOR)Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O zeolite, beryl and porous silicon...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Franiv, A.V., Bovgyra, O.V., Franiv, O.V., Goyer, D.B.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76016
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes / A.V. Franiv, O.V. Bovgyra, O.V. Franiv, D.B. Goyer // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-76016
record_format dspace
spelling irk-123456789-760162015-02-08T03:01:46Z Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes Franiv, A.V. Bovgyra, O.V. Franiv, O.V. Goyer, D.B. The relaxation dynamics of the exciton resonances in the layer InxTl1−xI semiconductor for its transition from bulk crystals to the quantum-size nanocrystals synthesised within the different matrices is analysed. The mordenitetype (Na-MOR)Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O zeolite, beryl and porous silicon are used as matrices. As experimentally shown, the size-effects’ influence affect the parameters of the band-to-band transitions and the genesis of exciton states in substitutional solid solution of InxTl1−xI. На прикладі шаруватого напівпровідника InxTl1−xI проаналізовано динаміку релаксації екситонних збуджень при переході від блочних монокристалів до нанокристалів, синтезованих у ріжних матрицях, таких як поруватий кремній, берил та природній цеоліт Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O (морденіт). Експериментально виявлено вплив розмірного квантування на параметри зона-зонних переходів, а також генезис екситонних станів твердих розчинів заміщення InxTl1−xI. На примере слоистого полупроводника InxTl1−xI проанализирована динамика релаксации экситонных возбуждений при переходе от блочных монокристаллов к нанокристаллам, синтезированным в разных матрицах, таких как пористый кремний, берилл и цеолит Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O (морденит). Экспериментально выявлено влияние размерного квантовния на параметры зона-зонных переходов, а также генезис экситонных состояний твердых растворов замещения InxTl1−xI. 2008 Article Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes / A.V. Franiv, O.V. Bovgyra, O.V. Franiv, D.B. Goyer // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. 1816-5230 PACS numbers: 71.35.Cc, 73.20.Mf, 77.84.Bw, 78.55.-m, 78.67.Bf, 81.40.Tv http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76016 en Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
description The relaxation dynamics of the exciton resonances in the layer InxTl1−xI semiconductor for its transition from bulk crystals to the quantum-size nanocrystals synthesised within the different matrices is analysed. The mordenitetype (Na-MOR)Na₈[Al₈Si₄₀O₉₆]⋅24H₂O zeolite, beryl and porous silicon are used as matrices. As experimentally shown, the size-effects’ influence affect the parameters of the band-to-band transitions and the genesis of exciton states in substitutional solid solution of InxTl1−xI.
format Article
author Franiv, A.V.
Bovgyra, O.V.
Franiv, O.V.
Goyer, D.B.
spellingShingle Franiv, A.V.
Bovgyra, O.V.
Franiv, O.V.
Goyer, D.B.
Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet Franiv, A.V.
Bovgyra, O.V.
Franiv, O.V.
Goyer, D.B.
author_sort Franiv, A.V.
title Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes
title_short Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes
title_full Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes
title_fullStr Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes
title_full_unstemmed Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes
title_sort luminescence of inxtl1−xi nanocrystals embedded in dielectric matrixes
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2008
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76016
citation_txt Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes / A.V. Franiv, O.V. Bovgyra, O.V. Franiv, D.B. Goyer // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 75-81. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
series Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv AT franivav luminescenceofinxtl1xinanocrystalsembeddedindielectricmatrixes
AT bovgyraov luminescenceofinxtl1xinanocrystalsembeddedindielectricmatrixes
AT franivov luminescenceofinxtl1xinanocrystalsembeddedindielectricmatrixes
AT goyerdb luminescenceofinxtl1xinanocrystalsembeddedindielectricmatrixes
first_indexed 2023-10-18T19:10:53Z
last_indexed 2023-10-18T19:10:53Z
_version_ 1796146220439175168