Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника

Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2011
Автори: Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76138
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-76138
record_format dspace
spelling irk-123456789-761382015-02-09T03:01:39Z Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными. Розглянуто температурну залежність ширини забороненої зони напівпровідника. Чисельним моделюванням процесів теплової генерації з дискретних рівнів установлено, що ширина забороненої зони зменшується з ростом температури. Отримані результати збігаються з експериментальними даними. Temperature dependence of width of the forbidden zone of the semiconductor is considered. By numerical modeling of processes of thermal generation from discrete levels it is established, that the width of the forbidden zone decreases with temperature growth. The received results coincide with experimental data. 2011 Article Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76138 539.21: 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными.
format Article
author Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю.
spellingShingle Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю.
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
Физическая инженерия поверхности
author_facet Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю.
author_sort Гулямов, Г.
title Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
title_short Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
title_full Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
title_fullStr Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
title_full_unstemmed Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
title_sort влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2011
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76138
citation_txt Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT gulâmovg vliânietemperaturynaširinuzapreŝennojzonypoluprovodnika
AT šaribaevnû vliânietemperaturynaširinuzapreŝennojzonypoluprovodnika
first_indexed 2023-10-18T19:11:12Z
last_indexed 2023-10-18T19:11:12Z
_version_ 1796146234550910976