Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76138 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-76138 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-761382015-02-09T03:01:39Z Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными. Розглянуто температурну залежність ширини забороненої зони напівпровідника. Чисельним моделюванням процесів теплової генерації з дискретних рівнів установлено, що ширина забороненої зони зменшується з ростом температури. Отримані результати збігаються з експериментальними даними. Temperature dependence of width of the forbidden zone of the semiconductor is considered. By numerical modeling of processes of thermal generation from discrete levels it is established, that the width of the forbidden zone decreases with temperature growth. The received results coincide with experimental data. 2011 Article Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76138 539.21: 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными. |
| format |
Article |
| author |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| spellingShingle |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| author_sort |
Гулямов, Г. |
| title |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_short |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_full |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_fullStr |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_full_unstemmed |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| title_sort |
влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2011 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76138 |
| citation_txt |
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT gulâmovg vliânietemperaturynaširinuzapreŝennojzonypoluprovodnika AT šaribaevnû vliânietemperaturynaširinuzapreŝennojzonypoluprovodnika |
| first_indexed |
2023-10-18T19:11:12Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:11:12Z |
| _version_ |
1796146234550910976 |