Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів
Отримані розподіли густини валентних електронів та електронні спектри для плівки Si з покриттям за допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів. Показано, що змішане покриття поверхонь плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену до концентрації 10% п...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76166 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай, О.М. Чернікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 48–54. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |