Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів
Отримані розподіли густини валентних електронів та електронні спектри для плівки Si з покриттям за допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів. Показано, що змішане покриття поверхонь плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену до концентрації 10% п...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76166 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай, О.М. Чернікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 48–54. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-76166 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-761662015-02-09T03:01:45Z Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів Балабай, Р.М. Чернікова, О.М. Отримані розподіли густини валентних електронів та електронні спектри для плівки Si з покриттям за допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів. Показано, що змішане покриття поверхонь плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену до концентрації 10% приводить до зміни провідності плівки за рахунок стабілізації рівня Фермі додатковими станами у валентній та забороненій зонах плівки з покриттям. Показано, що пасивація поверхні плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену відбувається ще і за рахунок обмежених можливостей приповерхневого руху оксидантів як перпендикулярно так і паралельно поверхні плівки. Полученны распределения плотности валентных электронов и электронные спектры для пленки Si с покрытием с помощью методов функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов. Показано, что смешанное покрытие поверхностей пленки Si(100) водородом и молекулами 1-октадецена в концентрации 10% приводит к изменению проводимости пленки за счет стабилизации уровня Ферми дополнительными состояниями в валентной и запрещенной зонах пленки с покрытием. Показано, что пассивация поверхности пленки Si(100) водородом и молекулами 1-октадецена происходит еще и за счет ограниченных возможностей приповерхностного движения оксидантов как перпендикулярно так и параллельно поверхности пленки. Distributions of the valence electron density and the electronic energy spectrum for the film of Si with coverage are received by the methods of the density functional theory and the first principal psevdopotential. It is observed that the mixed coverage of Si(100) surfaces by hydrogen and molecules of 1-octadecene with the 10% concentration cause a change conductivity of the Si film due to stabilization of the Fermi level by a appearance of additional states in its valence and bandgap. It is observed that the passivation of surface of Si(100) film by hydrogens and molecules of 1-octadecene is realized due to the limited possibilities of the surface perpendicular/parallel motion of oxidizers also. 2011 Article Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай, О.М. Чернікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 48–54. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76166 541.183+537.311.33 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Отримані розподіли густини валентних електронів та електронні спектри для плівки Si з покриттям за допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів. Показано, що змішане покриття поверхонь плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену до концентрації 10% приводить до зміни провідності плівки за рахунок стабілізації рівня Фермі додатковими станами у валентній та забороненій зонах плівки з покриттям. Показано, що пасивація поверхні плівки Si(100) воднем та молекулами 1-октадецену відбувається ще і за рахунок обмежених можливостей приповерхневого руху оксидантів як перпендикулярно так і паралельно поверхні плівки. |
| format |
Article |
| author |
Балабай, Р.М. Чернікова, О.М. |
| spellingShingle |
Балабай, Р.М. Чернікова, О.М. Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Балабай, Р.М. Чернікова, О.М. |
| author_sort |
Балабай, Р.М. |
| title |
Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів |
| title_short |
Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів |
| title_full |
Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів |
| title_fullStr |
Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів |
| title_full_unstemmed |
Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів |
| title_sort |
пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2011 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76166 |
| citation_txt |
Пасивація поверхні плівкового кремнію органічними моношарами 1-октадецену: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай, О.М. Чернікова // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 48–54. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT balabajrm pasivacíâpoverhníplívkovogokremníûorganíčnimimonošarami1oktadecenurozrahunkiízperšihprincipív AT černíkovaom pasivacíâpoverhníplívkovogokremníûorganíčnimimonošarami1oktadecenurozrahunkiízperšihprincipív |
| first_indexed |
2023-10-18T19:11:16Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:11:16Z |
| _version_ |
1796146237523623936 |