Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами

• Дата: 2008
• Автори: Колбасов, Г.Я., Огенко, В.М., Русецкий, И.А., Набока, О.В., Слободянюк, И. А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Назва видання: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76202
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фоточувствительность GaAs- и CdSe-электродов, модифицированных фуллеритами / Г.Я. Колбасов, В.М. Огенко, И.А. Русецкий, О.В. Набока, И.А. Слободянюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 4. — С. 1129-1135. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Изучены фотоэлектрохимические процессы на GaAs-электродах и электродах на основе поликристаллических пленок CdSe, поверхность которых модифицирована фуллеритами. Показано, что модифицирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности...