Экситонные состояния в наносистемах

Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии св...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Покутний, С.И., Шпак, А.П., Уваров, В.Н., Покутний, М.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76802
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine