Экситонные состояния в наносистемах
Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии св...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76802 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |