2025-02-23T13:35:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-76802%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:35:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-76802%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:35:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:35:44-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Экситонные состояния в наносистемах
Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии св...
Saved in:
Main Authors: | , , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2009
|
Series: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76802 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
id |
irk-123456789-76802 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-768022015-02-13T03:01:54Z Экситонные состояния в наносистемах Покутний, С.И. Шпак, А.П. Уваров, В.Н. Покутний, М.С. Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона Eex(a) в КТ селенида и сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами экситона aex, в 7,4 и 4,5 раз соответственно по сравнению с энергией связи экситона в монокристаллах CdSe и CdS. Розвинуто теорію екситонних станів у напівпровідниковій квантовій точці (КТ) за умов, коли поляризаційна взаємодія електрона і дірки зі сферичною поверхнею поділу квантова точка—діелектрична матриця відіграє домінантну роль. Виявлено ефект суттєвого збільшення енергії зв’язку екситона Eex(a) у КТ селеніду та сульфіду кадмію з радіюсами a, порівнянними з Боровими радіюсами екситона aex, у 7,4 та 4,5 раз відповідно, в порівнянні з енергією зв’язку екситона в монокристалах CdSe та CdS. The theory of exciton states in a semiconductor quantum dot (QD) under conditions of dominating polarization interaction of an electron and a hole with a spherical (quantum dot—dielectric matrix) interface is developed. The substantial increase of binding energy of the exciton, Eex(a), within the QD of CdSe and CdS with radii a ≈ aex is observed. Binding energies of the excitons in QDs exceeded those in CdSe and CdS single crystals by factors of 7.4 and 4.5, respectively. 2009 Article Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 71.15.Qe,71.35.-y,73.20.Mf,73.21.La,73.22.Lp,78.20.Bh,78.20.Jq http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76802 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой
точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона
и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона Eex(a) в КТ селенида и
сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами
экситона aex, в 7,4 и 4,5 раз соответственно по сравнению с энергией связи
экситона в монокристаллах CdSe и CdS. |
format |
Article |
author |
Покутний, С.И. Шпак, А.П. Уваров, В.Н. Покутний, М.С. |
spellingShingle |
Покутний, С.И. Шпак, А.П. Уваров, В.Н. Покутний, М.С. Экситонные состояния в наносистемах Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
author_facet |
Покутний, С.И. Шпак, А.П. Уваров, В.Н. Покутний, М.С. |
author_sort |
Покутний, С.И. |
title |
Экситонные состояния в наносистемах |
title_short |
Экситонные состояния в наносистемах |
title_full |
Экситонные состояния в наносистемах |
title_fullStr |
Экситонные состояния в наносистемах |
title_full_unstemmed |
Экситонные состояния в наносистемах |
title_sort |
экситонные состояния в наносистемах |
publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
publishDate |
2009 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76802 |
citation_txt |
Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
work_keys_str_mv |
AT pokutnijsi éksitonnyesostoâniâvnanosistemah AT špakap éksitonnyesostoâniâvnanosistemah AT uvarovvn éksitonnyesostoâniâvnanosistemah AT pokutnijms éksitonnyesostoâniâvnanosistemah |
first_indexed |
2023-10-18T19:12:27Z |
last_indexed |
2023-10-18T19:12:27Z |
_version_ |
1796146291306135552 |