2025-02-23T13:35:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-76802%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:35:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-76802%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:35:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:35:44-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Экситонные состояния в наносистемах

Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии св...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Покутний, С.И., Шпак, А.П., Уваров, В.Н., Покутний, М.С.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2009
Series:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76802
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-76802
record_format dspace
spelling irk-123456789-768022015-02-13T03:01:54Z Экситонные состояния в наносистемах Покутний, С.И. Шпак, А.П. Уваров, В.Н. Покутний, М.С. Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона Eex(a) в КТ селенида и сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами экситона aex, в 7,4 и 4,5 раз соответственно по сравнению с энергией связи экситона в монокристаллах CdSe и CdS. Розвинуто теорію екситонних станів у напівпровідниковій квантовій точці (КТ) за умов, коли поляризаційна взаємодія електрона і дірки зі сферичною поверхнею поділу квантова точка—діелектрична матриця відіграє домінантну роль. Виявлено ефект суттєвого збільшення енергії зв’язку екситона Eex(a) у КТ селеніду та сульфіду кадмію з радіюсами a, порівнянними з Боровими радіюсами екситона aex, у 7,4 та 4,5 раз відповідно, в порівнянні з енергією зв’язку екситона в монокристалах CdSe та CdS. The theory of exciton states in a semiconductor quantum dot (QD) under conditions of dominating polarization interaction of an electron and a hole with a spherical (quantum dot—dielectric matrix) interface is developed. The substantial increase of binding energy of the exciton, Eex(a), within the QD of CdSe and CdS with radii a ≈ aex is observed. Binding energies of the excitons in QDs exceeded those in CdSe and CdS single crystals by factors of 7.4 and 4.5, respectively. 2009 Article Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 71.15.Qe,71.35.-y,73.20.Mf,73.21.La,73.22.Lp,78.20.Bh,78.20.Jq http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76802 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Развита теория экситонных состояний в полупроводниковой квантовой точке (КТ) в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки со сферической поверхностью раздела квантовая точка—диэлектрическая матрица играет доминирующую роль. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона Eex(a) в КТ селенида и сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами экситона aex, в 7,4 и 4,5 раз соответственно по сравнению с энергией связи экситона в монокристаллах CdSe и CdS.
format Article
author Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
spellingShingle Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
Экситонные состояния в наносистемах
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet Покутний, С.И.
Шпак, А.П.
Уваров, В.Н.
Покутний, М.С.
author_sort Покутний, С.И.
title Экситонные состояния в наносистемах
title_short Экситонные состояния в наносистемах
title_full Экситонные состояния в наносистемах
title_fullStr Экситонные состояния в наносистемах
title_full_unstemmed Экситонные состояния в наносистемах
title_sort экситонные состояния в наносистемах
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2009
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76802
citation_txt Экситонные состояния в наносистемах / С.И. Покутний, А.П. Шпак, В.Н. Уваров, М.С. Покутний // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2009. — Т. 7, № 4. — С. 941-949. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv AT pokutnijsi éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
AT špakap éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
AT uvarovvn éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
AT pokutnijms éksitonnyesostoâniâvnanosistemah
first_indexed 2023-10-18T19:12:27Z
last_indexed 2023-10-18T19:12:27Z
_version_ 1796146291306135552