Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления обратного тока в кремниевых p⁺pn⁺- структурах с различной толщиной базовой о...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76894 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, А.А. Каримов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 188–193. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-76894 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-768942015-02-19T11:28:56Z Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.А. Каримов, А.В. На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления обратного тока в кремниевых p⁺pn⁺- структурах с различной толщиной базовой области. Экспериментально показано, что как зависимости времени восстановления, так и времени жизни неосновных носителей от величины прямого тока стремятся к насыщению, которую можно объяснить наличием дополнительных рекомбинационных центров в базовой области. На підставі дослідження перехідних характеристик кремнієвої p⁺pn⁺-структури методом перемикання із прямого напрямку на зворотній визначені залежності часу життя неосновних носіїв заряду та часу відновлення зворотного струму в кремнієвих p⁺pn⁺-структурах з різною товщиною базової області. Експериментально показано, що як залежності часу відновлення, так і часу життя неосновних носіїв від величини прямого струму прагнуть до насичення, яку можна пояснити наявністю додаткових рекомбінаційних центрів у базовій області. Based on the research of transitional characteristics of silicon p⁺pn⁺-structure by method of switching from direct to reverse bias are obtained the dependences of the lifetime of minority carriers, and recovery time of the reverse current in silicon p⁺pn⁺-structures with different thickness of the base region. It is experimentally shown that the dependences of the recovery time as well as minority carriers lifetime from values of forward current tends to saturation, which can be explained by the presence of additional recombination centers in the base region. 2011 Article Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, А.А. Каримов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 188–193. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76894 621.383.52:535.243 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления обратного тока в кремниевых p⁺pn⁺- структурах с различной толщиной базовой области. Экспериментально показано, что как зависимости времени восстановления, так и времени жизни неосновных носителей от величины прямого тока стремятся к насыщению, которую можно объяснить наличием дополнительных рекомбинационных центров в базовой области. |
| format |
Article |
| author |
Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.А. Каримов, А.В. |
| spellingShingle |
Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.А. Каримов, А.В. Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Абдулхаев, О.А. Асанова, Г.О. Гиясова, Ф.А. Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.А. Каримов, А.В. |
| author_sort |
Абдулхаев, О.А. |
| title |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| title_short |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| title_full |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| title_fullStr |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| title_full_unstemmed |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| title_sort |
исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2011 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76894 |
| citation_txt |
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, А.А. Каримов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 188–193. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT abdulhaevoa issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievojppnstrukture AT asanovago issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievojppnstrukture AT giâsovafa issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievojppnstrukture AT ëdgorovadm issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievojppnstrukture AT karimovaa issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievojppnstrukture AT karimovav issledovanieperehodnyhprocessovvkremnievojppnstrukture |
| first_indexed |
2023-10-18T19:12:43Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:12:43Z |
| _version_ |
1796146293555331072 |