Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления обратного тока в кремниевых p⁺pn⁺- структурах с различной толщиной базовой о...
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Гиясова, Ф.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.А., Каримов, А.В. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76894 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Ф.А. Гиясова, Д.М. Ёдгорова, А.А. Каримов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 188–193. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011) -
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2013) -
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014) -
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008) -
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)