Modeling the mechanism of interaction of defects is in CeO2-x at high temperatures in air
The consequent of mathematical models with elements of theory probability and experimental results, calculations permitted to determinate the energy formation of: anion vacancies (uв∼0.9 eV), border and screw dislocations (u⊥∼ 1.67 eV; us ∼ 2.08 eV), and the energy of movement point defects (ud∼ 1.8...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76998 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Modeling the mechanism of interaction of defects is in CeO2-x at high temperatures in air / A.E. Solovyova // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 4. — С. 369–375. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |