2025-02-23T15:23:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-78042%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:23:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-78042%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:23:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T15:23:03-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов...
Saved in:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2011
|
| Series: | Радіофізика та електроніка |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78042 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|