Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN

• Видавець: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
• Дата: 2011
• Автори: Стороженко, И.П., Аркуша, Ю.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
• Назва видання: Радіофізика та електроніка
• Теми: Вакуумна та твердотільна електроніка
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78042
• Цитувати: Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 58-63. — Бібліогр.:19 назв. — рос.

Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов...