О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs

• Видавець: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
• Дата: 2011
• Автори: Стороженко, И.П., Животов, Е.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2011
• Назва видання: Радіофізика та електроніка
• Теми: Вакуумна та твердотільна електроніка
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78043
• Цитувати: О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs / И.П. Стороженко, Е.Н. Животова // Радіофізика та електроніка. — 2011. — Т. 2(16), № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Изучено исчезновение дрейфующего домена в приборах на основе варизонных полупроводников. Показано, что длина области дрейфа домена и частота генерируемых колебаний тока в n⁺-n-n⁺-приборах на основе варизонных полупроводников зависит от приложенного к прибору напряжения. Найдены условия существова...