Instabilities in binary compounds under irradiation
A simulation of radiation-induced instability in binary semiconductor, such as GaAs, was fulfilled. The instability is connected with antisite defects accumulated. It was shown that the number of antisite defects in crystal under irradiation can significantly exceed their equilibrium concentration....
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78134 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Instabilities in binary compounds under irradiation / V.V. Mykhaylovskyy, V.I. Sugakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 10-13. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |