СТМ-анализы поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления
Разработана методика облучения конструкционных материалов осколками деления в растворных импульсных ядерных реакторах. С помощью метода сканирующей туннельной микроскопии проведены исследования структуры поверхности высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ), подвергнутого импульсному обл...
Збережено в:
Дата: | 2000 |
---|---|
Автори: | , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78141 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | СТМ-анализы поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления / М.А. Козодаев, О.Н. Макеев, В.П. Бабаев, А.Л. Суворов, В.Ф. Хохряков, Л.А. Осадчук, Б.Г. Леваков, А.Г. Залужный // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 31-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |