СТМ-анализы поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления

Разработана методика облучения конструкционных материалов осколками деления в растворных импульсных ядерных реакторах. С помощью метода сканирующей туннельной микроскопии проведены исследования структуры поверхности высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ), подвергнутого импульсному обл...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2000
Автори: Козодаев, М.А., Макеев, О.Н., Бабаев, В.П., Суворов, А.Л., Хохряков, В.Ф., Осадчук, Л.А., Леваков, Б.Г., Залужный, А.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78141
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:СТМ-анализы поверхностной структуры графита, подвергнутого импульсному облучению осколками деления / М.А. Козодаев, О.Н. Макеев, В.П. Бабаев, А.Л. Суворов, В.Ф. Хохряков, Л.А. Осадчук, Б.Г. Леваков, А.Г. Залужный // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 31-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine