Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
Приведены результаты исследований свойств покрытий, полученных осаждением Ti плазмы дугового разряда низкого давления в режиме положительного анодного падения потенциала в зависимости от давления активного газа (N₂ и N₂+C₂H₂) и ускоряющего отрицательного потенциала подложки. Часть экспериментов посв...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78214 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала / В.В. Кунченко, И.И. Аксенов // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 165-172. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |