2025-02-23T16:36:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-7882%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:36:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-7882%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:36:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:36:53-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении

В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Набиев, Г.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2008
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7882
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!