Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении
В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7882 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 202-209. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-7882 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-78822010-04-21T12:02:15Z Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении Набиев, Г.А. В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого в частном случае получаются нормальный и аномальные фотовольтаические эффекты, а также переход аномального фотовольтаического эффекта в нормальный. У роботі розроблена теорія особливостей фотовольтаїчного ефекту в напівпровідниках з р-n-р- переходами при неоднорідному освітленні. Отримано аналітичний вираз для фотонапруги в р-n-р-структурі та у плівці, що генерує аномально-велику фотонапругу при неоднорідному освітленні з якого в окремому випадку отримують нормальний, аномальні фотовольтаїчні ефекти й перехід аномального фотовольтаїчного ефекту в нормальний. In the present, work the theory of special qualities of photovoltage with p-n-p-structure with nonsimilar lightning. Has been got analytical expression for the pholtage in p-n-p-structure and on the film, which generalizied anomalous high photo voltage with nonsimilar lightning because of with nonsimilar lightning beceouse uf what the normal, anomalоus photovoltage effect are issied, and the transference from anomalous photovoltage to normal voltage is possible. 2008 Article Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 202-209. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7882 621.315.592 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В работе разработана теория особенностей фотовольтаического эффекта в полупроводниках с р-n-р-переходами при неоднородном освещении. Получено аналитическое выражение для фотонапряжения в р-n-р-структуре и в пленке, генерирующем аномально-большое фотонапряжение при неоднородном освещении из которого в частном случае получаются нормальный и аномальные фотовольтаические эффекты, а также переход аномального фотовольтаического эффекта в нормальный. |
| format |
Article |
| author |
Набиев, Г.А. |
| spellingShingle |
Набиев, Г.А. Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| author_facet |
Набиев, Г.А. |
| author_sort |
Набиев, Г.А. |
| title |
Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| title_short |
Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| title_full |
Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| title_fullStr |
Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| title_full_unstemmed |
Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| title_sort |
особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2008 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7882 |
| citation_txt |
Особенности фотовольтаического эффекта в многослойных полупроводниках с p-n-p-переходами при неоднородном освещении / Г.А. Набиев // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 202-209. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT nabievga osobennostifotovolʹtaičeskogoéffektavmnogoslojnyhpoluprovodnikahspnpperehodamiprineodnorodnomosveŝenii |
| first_indexed |
2023-10-18T16:38:33Z |
| last_indexed |
2023-10-18T16:38:33Z |
| _version_ |
1796139512400707584 |