Plasma devices for ion beam and plasma deposition applications

• Дата: 2005
• Автори: Goncharov, A., Demchishin, A., Dobrovolskiy, A., Kostin, E., Panchenko, O., Pavlov, C., Protsenko, I., Stetsenko, B., Ternovoy, E., Brown, I. G.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2005
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Low temperature plasma and plasma technologies
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79058
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Plasma devices for ion beam and plasma deposition applications / A. Goncharov, A. Demchishin, A. Dobrovolskiy, E. Kostin, O. Panchenko, C. Pavlov, I. Protsenko, B. Stetsenko, E. Ternovoy, I. G. Brown // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 1. — С.169-171. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

We describe the operation of some new axially-symmetric plasma devices based on plasma-optical principles and the plasma lens configuration. Plasma devices of this kind using permanent magnets can be applied in a number of different applications for ion treatment and materials synthesis.