Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs
A possibility of full irradiation tests of semiconductor detectors and microelectronics using electron accelerators are considered in the present work. The techniques for irradiation and for detector tests were described. The data on the efficiency of electron and bremsstrahlung action on the Si bul...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79269 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs / A.N. Dovbnya, N.I. Maslov, N.A. Dovbnya // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 3. — С. 164-166. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |