Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок

• Дата: 2014
• Автори: Глушко, П.И., Журавлёв, А.Ю., Капустин, В.Л., Левенец, В.В., Семенов, Н.А., Хованский, Н.А., Шеремет, В.И., Широков, Б.М., Шиян, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2014
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика и технология конструкционных материалов
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79936
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок / П.И. Глушко, А.Ю. Журавлёв, В.Л. Капустин, В.В. Левенец, Н.А. Семенов, Н.А. Хованский, В.И. Шеремет, Б.М. Широков, А.В. Шиян // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 167-169. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Разработан и изготовлен сублимационный источник атомов для нанесения плёнок методом молекулярно- лучевой эпитаксии. С использованием сублимационного источника получены эпитаксиальные кремний- германиевые пленки с различным содержанием германия....